[MBS 대전= 이정복 기자]

한밭대학교(총장 이원묵) 화학생명공학과 노용영 교수연구팀이 유연한 USB메모리 핵심기술을 개발했다고 24일 밝혔다.

기존의 USB 메모리 기술은 일일이 단단한 기판에 칩을 제작하여 메모리를 구현 했으나, 이 개발 기술은 인쇄물을 복사하듯이 부드럽게 휘어지는 유연한 플라스틱 기판에 잉크젯 프린팅 방식으로 메모리를 연속으로 제조할 수 있는 것이 핵심기술이다.

이 유연한 USB 메모리 핵심기술 개발이 상용화되면 직사각형의 USB가 아니라 맘대로 접거나 말아서 가지고 다닐수 있는 USB 메모리를 만날 수 있는 시대를 맞이하게 될 전망이다.

유연한 USB 메모리 특징은 다양한 형태로 휘어지며 의류등 어느 소재에나 부착 가능하고, 간단한 인쇄공정으로 메모리 소자의 제조가 가능하게 된다.

기존 USB 메모리 공정에 비해 제조공정이 간편하여 훨씬 낮은 가격으로 제조 할 수 있다는 장점을 가지고 향후 그 파급 효과가 클 것으로 기대된다.

이번 연구는 교육과학기술부가 지원하는 글로벌 프론티어 사업의 나노소프트 일렉트로닉스 연구단(단장: 조길원)과 지식경제부의 프린티드 RFID 사업의 지원을 받아 한밭대학교 노용영 교수(교신저자)의 주도하에 노스웨스턴 대학의 백강준 박사후 연구원(제1저자), 한국전자통신연구원(ETRI), 광주과학기술원, 충북대학교가 참여하였다.

이 개발 회로는 기존의 USB 메모리를 구성하는 핵심 회로인 낸드 플래시 메모리 (NAND Flash memory)를 고분자 유기반도체와 절연체의 잉크젯 프린팅 공정을 통해서 트랜지스터 구조의 비휘발성 메모리와 이를 구동하는 트랜지스터를 단 한번의 인쇄 공정으로 제조 할 수 있는 기술이다. 

노용영 교수연구팀은 유연 USB 메모리 구현하기 위해서 고분자 재료를 기반으로 한 유기반도체, 전도체 및 절연체 재료를 잉크화 하고 이를 잉크젯 프린팅 공정에 맞게 최적화하여 구동소자를 제작·구현하였다. 특히, 비휘발성 메모리 특성을 부여하기 위해서 전하를 저장할 수 있는 고분자 재료를 개발하고 이를 메모리 소자에 적용하여 낸드 플래시메모리 회로를 완성하였다. 

이번 핵심기술은 최근 재료공학 분야의 최고 권위의 Advanced Functional Materials (인용지수=8.7)에 인터넷 판으로 출간되었다. 또한 연구결과의 우수성을 인정받아 세계적인 출판사인 John Wiley 가 운영하는 재료공학분야의 인터넷 포털 사이트인 Materials View에도 우수연구결과로 소개되기도 하였고 지난해에 국내외 특허를 출원하였다.

한편, NAND 소자 연구교수팀의 노용영 교수는 인쇄전자분야에서 세계가 주목하는 젊은 과학자로써 관련 분야에 70 여편 이상의 국제 저명 논문과 20 여편의 국내외 특허를 보유하고 있다.